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多晶硅還原爐是提煉多晶硅棒的專用設(shè)備,，高壓啟動方式要求首先施高壓擊穿，使純硅成為電阻率較低的導(dǎo)體,，進而提升導(dǎo)通電流速度,，使硅芯內(nèi)部溫度快速上升，大大縮短啟動時間,，提高生產(chǎn)效率,。故而需要耐高溫的高絕緣性陶瓷材料，防止高溫高壓下絕緣失效,，造成電擊穿,。傳統(tǒng)氧化鋁材質(zhì)由于自身性能限制，使用壽命很短,，故而氮化硅陶瓷材料成為其**,。

??**一代優(yōu)質(zhì)多晶硅還原爐/氫化爐用高壓電極絕緣環(huán)、保護套,、隔熱罩,、絕緣套筒，采用氣壓燒結(jié)氮化硅,，絕緣性好,、韌性高、耐高溫,、強度高,、抗熱震，可防止倒棒時破壞電極,，比氧化鋁材質(zhì)的同類產(chǎn)品壽命長10倍以上,，減少停爐損失和更換成本，節(jié)約操作時間,，降低勞動強度,，綜合效益提高3倍。已在國內(nèi)得到廣泛應(yīng)用,，與進口產(chǎn)品性能相當(dāng),，獲得客戶一致好評。是國內(nèi)廣大多晶硅廠家提升產(chǎn)品質(zhì)量,，降低生產(chǎn)成本,，提高生產(chǎn)效率的**。

常規(guī)尺寸：

根據(jù)圖紙生產(chǎn)

優(yōu)點：

1. 冷等靜壓成型

2.氣壓燒結(jié)

3.高抗壓強度與抗折強度

4. 低熱膨脹系數(shù)

5.優(yōu)良的抗熱震性能

6.電絕緣性優(yōu)良

7.強耐電沖擊性

產(chǎn)品指標(biāo)：

參數(shù)：氣壓燒結(jié)氮化硅

密度：>3.2g/cm3

Si3N4 含量：>92%

抗折強度：>600Mpa

抗壓強度：>1500Mpa

導(dǎo)熱系數(shù)(W/mk)：16-22

氣孔率：0

熱膨脹系數(shù)(RT-1000℃)：3.2

**工作溫度（空氣 中）：1400℃

硬度(HRA)：>92