參考價(jià)格
1萬(wàn)元以下型號(hào)
AM-Hf-001-1品牌
亞美納米產(chǎn)地
浙江嘉興樣本
暫無(wú)制作方法：
氣相沉積法密度（kg/m3）：
13.3形狀：
球形純度：
99.9%目數(shù)：
1um/5um/10um品級(jí)：
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產(chǎn)品性能
鉿粉為銀灰色粉末,，密度13.31克/立方厘米，熔點(diǎn)2227度,，化學(xué)性質(zhì)與鋯十分相似,，具有良好的抗腐蝕性能，不易受一般酸堿水溶液的侵蝕,；易溶于氫氟酸而形成氟合配合物,。高溫下，鉿也可以與氧,、氮等氣體直接化合,，形成氧化物和氮化物。
應(yīng)用方向
1.由于鉿容易發(fā)射電子而很有用處(如用作白熾燈的燈絲),。用作X射線(xiàn)管的陰極,，鉿和鎢或鉬的合金用作高壓放電管的電極。常用作X射線(xiàn)的陰極和鎢絲制造工業(yè),。純鉿具有可塑性,、易加工、耐高溫抗腐蝕,，是原子能工業(yè)重要材料,。鉿的熱中子捕獲截面大，是較理想的中子吸收體,，可作原子反應(yīng)堆的控制棒和保護(hù)裝置,。鉿粉可作火箭的推進(jìn)器。在電器工業(yè)上可制造X射線(xiàn)管的陰極,。鉿的合金可作火箭噴嘴和滑翔式重返大氣層的飛行器的前沿保護(hù)層,，Hf-Ta合金可制造工具鋼及電阻材料。在耐熱合金中鉿用作添加元素,，例如鎢,、鉬、鉭的合金中有的添加鉿,。HfC由于硬度和熔點(diǎn)高,，可作硬質(zhì)合金添加劑。4TaCHfC的熔點(diǎn)約為4215℃,，為已知的熔點(diǎn)的化合物,。鉿可作為很多充氣系統(tǒng)的吸氣劑。鉿吸氣劑可除去系統(tǒng)中存在的氧,、氮等不需要?dú)怏w,。鉿常作為液壓油的一種添加劑,，防止在高危作業(yè)時(shí)候液壓油的揮發(fā)，具有很強(qiáng)的抗揮發(fā)性,，這個(gè)特性的話(huà),，所以一般用于工業(yè)液壓油。醫(yī)學(xué)液壓油,。
2.鉿也用于intel45納米處理器,。由于二氧化硅（SiO2）具有易制性(Manufacturability)，且能減少厚度以持續(xù)改善晶體管效能,，處理器廠(chǎng)商均采用二氧化硅做為制作柵極電介質(zhì)的材料,。當(dāng)英特爾導(dǎo)入65納米制造工藝時(shí)，雖已全力將二氧化硅柵極電介質(zhì)厚度降低至1.2納米,，相當(dāng)于5層原子,，但由于晶體管縮至原子大小的尺寸時(shí)，耗電和散熱難度亦會(huì)同時(shí)增加,，產(chǎn)生電流浪費(fèi)和不必要的熱能,，因此若繼續(xù)采用時(shí)下材料，進(jìn)一步減少厚度,，柵極電介質(zhì)的漏電情況勢(shì)將會(huì)明顯攀升,，令縮小晶體管技術(shù)遭遇極限。為解決此關(guān)鍵問(wèn)題,，英特爾正規(guī)劃改用較厚的高K材料(鉿元素為基礎(chǔ)的物質(zhì)）作為柵極電介質(zhì),，取代二氧化硅，此舉也成功使漏電量降低10倍以上,。另與上一代65納米技術(shù)相較,，英特爾的45納米制程令晶體管密度提升近2倍，得以增加處理器的晶體管總數(shù)或縮小處理器體積,，此外,，晶體管開(kāi)關(guān)動(dòng)作所需電力更低，耗電量減少近30%,，內(nèi)部連接線(xiàn) (interconnects) 采用銅線(xiàn)搭配低k電介質(zhì),，順利提升效能并降低耗電量，開(kāi)關(guān)動(dòng)作速度約加快 20%
貯存條件
本品應(yīng)密封保存于干燥,、陰涼的環(huán)境中,，不宜長(zhǎng)久暴露于空氣中，防受潮發(fā)生團(tuán)聚,，影響分散性能和使用效果,，另應(yīng)避免重壓，勿與氧化劑接觸，按照普通貨物運(yùn)輸,。
化學(xué)氣相沉積法制備納米鉿粒子
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