張金風(fēng) 教授
| 專家姓名: | 張金風(fēng) | 職務(wù): | ||
| 職稱: | 教授 | 專業(yè)類別: | ||
| 研究方向： | ||||
寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件 |
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| 自我介紹： | ||||
2000年和2006年在西安電子科技大學(xué)分別獲得電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)學(xué)士學(xué)位和博士學(xué)位,，博士導(dǎo)師為郝躍院士,。碩士/博士生導(dǎo)師，現(xiàn)為國家級科技創(chuàng)新人才,，郝躍院士寬禁帶半導(dǎo)體團隊金剛石方向帶頭人,。 近年來主持國家重點研發(fā)計劃項目,，國家自然科學(xué)基金重點項目等多項國家級項目。發(fā)表SCI論文70余篇,，授權(quán)國家發(fā)明專利40余項,，獲得省部級一等獎兩項。系統(tǒng)構(gòu)建了我國金剛石超寬禁帶半導(dǎo)體核心技術(shù),，研制出高性能微波等離子體化學(xué)氣相沉積（MPCVD）設(shè)備和大尺寸高質(zhì)量金剛石材料,，金剛石制備技術(shù)專利ZL201710805891.1等得到轉(zhuǎn)化應(yīng)用。提出了氫終端金剛石表面電導(dǎo)輸運理論,，發(fā)現(xiàn)了制約輸運特性的關(guān)鍵機制,，促成金剛石表面電導(dǎo)近年來提升一個數(shù)量級；研制出了高性能金剛石MOSFET器件,，研究論文[IEEE Electron Device Lett. 38, 786,；IEEE Electron Dev Lett 38 (9), 1302 (2017)]是微電子旗艦刊物IEEE Electron Device Letters對中國金剛石場效應(yīng)管成果的首次和第二次報道；提出了一種超高純金剛石表面終端調(diào)制輻射探測器結(jié)構(gòu),，研制出高性能金剛石輻射探測器,，研究論文[Appl Phys Lett 116 (9), 092104 (2020); IEEE Electron Dev Lett 43 (3), 454 (2022) ]分別是這兩種期刊對中國金剛石輻射探測器研究成果的首次報道。 |
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| 所在單位: | 西安電子科技大學(xué) | |||
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