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主要研究方向：ZnO材料生長、物性調控及應用,；納米薄層材料高真空CVD技術研發(fā)及應用,。

葉志鎮(zhèn)，男,，1955年5月生于浙江溫州?，F(xiàn)任浙江大學材料科學與工程系主任。浙江省特級專家,、浙大求是特聘教授,、博士生導師。兼任國家自然科學基金委信息科學部半導體學科評審組成員,，全國電子材料專委副主任,，全國半導體與集成技術、半導體材料和半導體物理專委委員等,。1999-2009年曾任浙江大學材料科學與化學工程學院副院長,。1997-2009年曾任浙江大學硅材料國家重點實驗室主任。
1977年考入浙江大學電機系,，1982年1月獲學士，1984年獲浙大光儀系碩士,，1987年獲光儀系博士,；畢業(yè)后留校工作，1990－1992年作為,、高級訪問學者,、留學美國麻省理工學院(MIT)；1994年晉升為教授,；1996年選為博導,。1988年進入浙大硅材料國家重點實驗室,，一直從事半導體薄膜教學科研工作，主要研究方向：ZnO材料生長,、物性調控及應用,；納米薄層材料高真空CVD技術研發(fā)及應用。
多年來圍繞國家光電信息技術和節(jié)能技術目標,，完成20余項國家與省部級科研項目,。負責完成 “十五”國家“973”課題和國家自然基金重點項目各1項；目前在研包括”973”課題,、國家自然基金重點項目,、面上基金及省部級科研項目10余項。
國際上較早開展ZnO研究,。1989年ZnO研究結果發(fā)表在國際期刊Applied Optics上,；1990年“ZnO:In透明導電薄膜”獲浙江省科技三等獎。在ZnO薄膜制備,、p型摻雜與LED室溫電致發(fā)光,；ZnO納米結構可控生長與場發(fā)射應用；ZnO:Ga透明導電薄膜等方面取得了重要創(chuàng)新成果,；其中“ZnO基材料生長,、p型摻雜與室溫電致發(fā)光研究”獲2006年浙江省科技一等獎、2007年國家自然科學二等獎,；“基于納米管,、納米線的低維結構材料可控生長與應用基礎研究”獲2007年浙江省科技一等獎。
高真空CVD薄膜技術及應用研究取得重要成果,。合作創(chuàng)建了國內第一臺超高真空CVD設備,，自主研發(fā)了超高真空CVD和高真空MOCVD兩大類創(chuàng)新薄膜系統(tǒng)，發(fā)展了低溫CVD工藝,；研制了優(yōu)質Si,、SiGe和GaN等晶體薄膜材料與器件；整套技術在全國50多家大學和科研單位推廣應用,，效益重大,；3項成果獲省部級科技二等獎，其中浙江省科技發(fā)明二等獎1項,，教育部二等獎2項,。
10項成果獲得獎勵，其中國家自然科學二等獎1項,，浙江省科技一等獎2項,，省部級科技二等獎3項；浙江省鑒定成果5項,；授權國家發(fā)明專利36項,；發(fā)表論文400多篇,，其中國際權威期刊Adv. Mater.1篇，APL30篇,；被SCI收錄200余篇,、EI收錄100余篇，論文被他引1700余次,，其中SCI他引1200余次,；國際大會報告40多次，其中邀請報告15次,，包括美國MRS秋季大會邀請報告,。
1994年被評為國家重點實驗室全國先進工作者并獲“金牛獎”；1995年選為浙江省首批“中青年學術帶頭人”,；1996年入選教育部“跨世紀優(yōu)秀人才培養(yǎng)計劃”,；1997年入選國家“百千萬人才工程”；1997年享受國務院特殊津貼,。2006年被聘為浙大首批求是特聘教授,；2007年評為浙江省突出貢獻中青年專家；2008年選為浙江省特級專家和浙江省優(yōu)秀留學回國人員,。