本人長期從事SiC功率器件設(shè)計、制備,、測試及可靠性分析相關(guān)工作,。目前已主持或參與國家自然科學(xué)基金,、國家重點研發(fā)計劃,、陜西省重點研發(fā)計劃、中興產(chǎn)學(xué)研項目等多項縱橫向項目,,并負責(zé)開發(fā)了1.2kV,、3.3kV、5kV和6.7kV SiC功率肖特基二極管及650V-1700V SiC MOSFET器件,,擁有豐富的器件設(shè)計及測試經(jīng)驗,。以第一作者或通訊作者在IEEE electron device letters、IEEE transactions on electron devices,、Carbon,、Solid-state electronics、Journal of crystal growth,、Chinese physics B等期刊發(fā)表論文10余篇,,申請專利20余項。目前擔(dān)任IEEE transactions on electron devices,、Thin solid films等期刊審稿人,。 |