1. 用于EDA的新型仿真方法,、工具及器件SPICE模型
a) 納米集成電路前沿器件結(jié)構(gòu)與模型:FinFET,、TFET(隧穿場(chǎng)效應(yīng)管)、無(wú)結(jié)器件,;
b) 新型存儲(chǔ)器件結(jié)構(gòu)與模型:PCRAM(相變存儲(chǔ)器),、RRAM(阻變存儲(chǔ)),;
c) 新型可靠性與存儲(chǔ)特性仿真方法、工具及模型方法,。
2. 電力電子器件
a) 寬禁帶材料GaN(氮化鎵),、SiC(碳化硅)器件物理、結(jié)構(gòu)與工藝,;
b) 硅基IGBT器件結(jié)構(gòu)與工藝,。 |
半導(dǎo)體器件方向,國(guó)家973 A類課題負(fù)責(zé)人,、深圳市首批基礎(chǔ)研究杰出青年,、深圳市海外高層次孔雀計(jì)劃B類人才。
1997年本科畢業(yè)于北京大學(xué),,并留校在微電子學(xué)研究所任助理工程師,。1999年公派赴香港科技大學(xué)進(jìn)修,2007年獲香港科大微電子專業(yè)博士并返回北京大學(xué)深圳研究生院任講師,,2010年晉升副教授,。
已發(fā)表Sci/Ei收錄論文130余篇,其中二十余篇發(fā)表在以IEEE TED,、EDL為代表的國(guó)際電子器件領(lǐng)域頂級(jí)期刊上,。獲國(guó)際會(huì)議邀請(qǐng)報(bào)告多次,并受邀撰寫2本專著章節(jié),。申請(qǐng)發(fā)明專利數(shù)十項(xiàng)并已獲多項(xiàng)授權(quán),。提出雙金屬柵無(wú)結(jié)器件的文章曾于2015年進(jìn)入ESI全球工程領(lǐng)域前1%高被引文章名單。 曾榮獲2009年度深圳市創(chuàng)新獎(jiǎng)高校類第一名,,個(gè)人排名第二,,第二屆廣東省“金博獎(jiǎng)”創(chuàng)新突出貢獻(xiàn)獎(jiǎng)等。在校內(nèi)曾獲北京大學(xué)優(yōu)秀班主任二等獎(jiǎng),,北京大學(xué)深圳研究生院優(yōu)秀教師,,帶領(lǐng)班級(jí)獲北京大學(xué)優(yōu)秀學(xué)風(fēng)班等榮譽(yù)。
在國(guó)內(nèi)學(xué)術(shù)兼職方面:擔(dān)任中國(guó)電工技術(shù)學(xué)會(huì)電氣節(jié)能專委會(huì)副理事長(zhǎng)兼秘書長(zhǎng),、電力電子專委會(huì)理事,;中國(guó)電源學(xué)會(huì)電子元器件專委會(huì)委員;深圳電氣節(jié)能研究會(huì)副秘書長(zhǎng),。曾榮獲中國(guó)電工技術(shù)學(xué)會(huì) “2010-2014先進(jìn)學(xué)會(huì)工作者”,。
在國(guó)際學(xué)術(shù)兼職方面:創(chuàng)建IEEE電子器件與集成電路深圳分會(huì)并曾任首任主席,是IEEE TED, EDL,,Materials today等多個(gè)行業(yè)內(nèi)著名期刊的審稿人,。長(zhǎng)期擔(dān)任IEEE EDSSC(電子器件與集成電路會(huì)議)技術(shù)委員會(huì)委員,并擔(dān)任IEEE EDSSC 2017技術(shù)委員會(huì)聯(lián)合主席,。 |