主要研究第三代(寬禁帶)半導(dǎo)體材料的制備、特性,、相關(guān)光電子及電力電子器件的設(shè)計(jì)開發(fā)和應(yīng)用,。材料體系包括GaN、AlGaN,、AlN,、氧化鎵等,。重點(diǎn)研究方向:
1. 高鋁組分AlGaN ,、AlN的薄膜外延及固態(tài)紫外發(fā)光器件,、探測(cè)器
2. 氮化物極性調(diào)控及新型半導(dǎo)體器件開發(fā)
3. 半導(dǎo)體設(shè)備開發(fā)
4. 微納加工及微納光學(xué) |
2016-02~現(xiàn)在, 中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所, 副研究員
2015-02~2016-02,美國(guó)應(yīng)用材料有限公司, 工藝工程師 |