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孫國勝 研究員
專家姓名: 孫國勝 職務(wù):
職稱: 研究員 專業(yè)類別:
研究方向:
第三代寬帶隙碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體材料工程,、制造裝備與功率器件制造技術(shù)
自我介紹:
1963年7月生,1985年和1988年畢業(yè)于蘭州大學(xué)物理系并分獲理學(xué)學(xué)士和理學(xué)碩士學(xué)位,,1988-1990年于西安理工大學(xué)自動(dòng)化與信息工程學(xué)院電子工程系(原陜西機(jī)械學(xué)院自動(dòng)化工程系)任助教,,1994年畢業(yè)于中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所并獲理學(xué)博士學(xué)位,,同年留所從事半導(dǎo)體致冷技術(shù)的開發(fā)工作。1997-1998年在美國加州大學(xué)洛杉磯分校(UCLA)物理系做博士后研究工作,。目前主要從事第三代寬帶隙SiC(碳化硅)半導(dǎo)體外延材料生長,、特性表征、以及SiC功率半導(dǎo)體器件研制工作,。先后參加和主持國家“863”,、國家重大基礎(chǔ)研究計(jì)劃項(xiàng)目(973項(xiàng)目)、國家自然科學(xué)基金委,、中國科學(xué)院重點(diǎn)和北京市科委等項(xiàng)目多項(xiàng),。近來,作為廣東省創(chuàng)新科研團(tuán)隊(duì)引進(jìn)項(xiàng)目的主要成員,,與廣東省企業(yè)合作承擔(dān)了廣東省戰(zhàn)略性新型產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目和東莞市重大方向性項(xiàng)目,,開展SiC外延晶片產(chǎn)業(yè)化以及SiC功率半導(dǎo)體器件制造技術(shù)研發(fā)工作。
所在單位: 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

所在單位:中南大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院

所在單位:中南大學(xué)粉末冶金研究院