主要從事寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究,是國際上富In氮化物半導(dǎo)體研究的開拓者,;在InN薄膜生長,、電學(xué)特性、和p型摻雜等方面創(chuàng)造并長期保持世界紀(jì)錄,,其工作直接導(dǎo)致了InN 0.7電子伏特窄禁帶特性的重大發(fā)現(xiàn),,大大拓展了Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體的研究與應(yīng)用范疇;首先發(fā)現(xiàn)InN表面強(qiáng)電荷聚集效應(yīng),,藉此研制出InN表面化學(xué)傳感器,、InN THz發(fā)射源,多次獲《Nature》雜志專文報(bào)道,;聯(lián)合提出InGaN全光譜多異質(zhì)結(jié)太陽能電池的概念和結(jié)構(gòu)。 |
博士生導(dǎo)師,,國家杰出青年科學(xué)基金獲得者,、長江學(xué)者特聘教授、萬人計(jì)劃創(chuàng)新領(lǐng)軍人才、國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目首席科學(xué)家,。分別于1996年和1999年在南京大學(xué)物理系獲學(xué)士,、碩士學(xué)位;于2003年在美國康奈爾大學(xué)(Cornell University)電子與計(jì)算機(jī)工程系獲博士學(xué)位,,師從美國工程院院士Lester Eastman教授,;在康奈爾大學(xué)開展1年博士后研究工作后,于2004年受聘于美國通用電氣公司(GE)研發(fā)中心任高級研究員,;于2006年9月歸國任教于南京大學(xué)物理系及電子科學(xué)與工程學(xué)院,,現(xiàn)任南京大學(xué)特聘教授。 |