研究方向
研究內(nèi)容1:Si基功率半導體器件
開展Si基功率半導體器件的新結構,、模型和實驗研究,,并開展相關器件的產(chǎn)業(yè)化工程研究工作,研究的器件包括:IGBT,、DMOS,、整流器、BJT、恒流器等,。
研究內(nèi)容2:寬禁帶半導體(碳化硅)功率器件
開展寬禁帶SiC基功率半導體器件的新結構,、模型和實驗研究,研究的器件包括:MESFET,、IGBT,、MOS等器件。 |
教育背景
2004.03-2009.12 電子科技大學,,微電子學與固體電子學專業(yè),,博士學位
工作履歷
2015.12-2016.12 美國伊利諾伊理工大學,電氣與計算機工程系 訪問學者
2013.08- 電子科技大學,,微電子與固體電子學院 副教授
2010.12-2013.07 電子科技大學,,微電子與固體電子學院 講師
2005.02-2010.12 英特爾產(chǎn)品(成都)有限公司 工程師
2009.12-2010.04 Chipset Division, Intel Corp., Folsom, CA, US 工程師 |