張有潤 副教授研究方向：1.第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)器件及芯片的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),、可靠性及應(yīng)用技術(shù)的研究,； （以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料,，因具備禁帶寬度大,、擊穿電場高,、熱導(dǎo)率大,、電子飽和漂移速率高,、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能,，是固態(tài)光源和電力電子,、微波射頻器件的“核芯”,，在半導(dǎo)體照明、 新一代移動通信,、能源互聯(lián)網(wǎng),、高速軌道交通,、新能源汽車、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景,，有望突破傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)的瓶頸,，對節(jié)能減排、產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級,、催生新的經(jīng)濟(jì)增長點(diǎn)將發(fā)揮重要作用,。） 2.硅基光電集成電路的研究及產(chǎn)品研發(fā) （現(xiàn)階段研發(fā)的重點(diǎn)方向包括：高速低噪聲光電探測器IC、高速光耦,、先進(jìn)的光電傳感器工藝開發(fā),、激光雷達(dá)單片關(guān)鍵工藝及核心芯片）
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張波1 教授，博士生導(dǎo)師研究方向：致力于功率半導(dǎo)體科學(xué)和技術(shù)研究,，研究內(nèi)容涵蓋分立器件（從高性能功率二極管MCR,、雙極型功率晶體管、功率MOSFET,、IGBT、MCT到RF LDMOS,，從硅基到SiC和GaN）,、可集成功率半導(dǎo)體器件（含硅基、SOI基和GaN基）和功率集成電路（含高低壓工藝集成,、高壓功率集成電路,、電源管理集成電路、數(shù)字輔助功率集成及面向系統(tǒng)芯片的低功耗集成電路等）
關(guān)注：261
袁穎 教授,，博士生導(dǎo)師研究方向：1.研究方向：電子材料與器件,、材料化學(xué)與工程 研究內(nèi)容1：復(fù)合介質(zhì)材料 可用于微波頻段的陶瓷與樹脂復(fù)合介質(zhì)基板材料的組成設(shè)計(jì)、制備方法以及性能測試,。 研究內(nèi)容2：功能陶瓷材料 微波介質(zhì)陶瓷組成設(shè)計(jì),、介質(zhì)陶瓷基板材料、濾波器陶瓷及器件,、低溫共燒LTCC微波陶瓷,、玻璃陶瓷材料。
關(guān)注：428
趙辰陽 特聘副研究員研究方向：主要從事新能源的儲存與轉(zhuǎn)化研究,，結(jié)合原位電化學(xué)表征（原位拉曼,、XRD等）與DFT第一性原理模擬計(jì)算，主要涉及硫化物全固態(tài)電池,、鋰/鈉離子電池,、燃料電池和電催化反應(yīng)等。
關(guān)注：225- 關(guān)注：233
劉琛 助理教授研究方向：（1）全固態(tài)鋰,、鈉離子電池材料的研究：聚合物基固態(tài)電解質(zhì),； （2）可穿戴柔性儲能器件,； （3）高分子復(fù)合材料的功能化設(shè)計(jì)；
關(guān)注：330- 關(guān)注：315
白樹林 教授,，博士生導(dǎo)師研究方向： 2D/3D石墨烯填充高聚物復(fù)合材料 高聚物復(fù)合材料的制備工藝,、熱/電/力學(xué)性能研究 長纖維增強(qiáng)熱塑性復(fù)合材料的制備、性能及工程應(yīng)用 應(yīng)用于微納米器件熱管理的熱界面材料研制與應(yīng)用
關(guān)注：303- 關(guān)注：481
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