方達(dá)正塬邀您出席第一屆半導(dǎo)體行業(yè)用陶瓷材料技術(shù)研討會(huì)
中國(guó)粉體網(wǎng)訊 隨著新能源汽車,、5G,、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等行業(yè)的蓬勃發(fā)展,，以碳化硅,、氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大，先進(jìn)陶瓷在半導(dǎo)體行業(yè)將迎來更大的應(yīng)用市場(chǎng),。第一屆半導(dǎo)體行業(yè)用陶瓷材料技術(shù)研討會(huì)將于2022年7月13日在濟(jì)南舉辦,。江蘇方達(dá)正塬電子材料科技有限公司邀請(qǐng)您共同出席論壇。
江蘇方達(dá)正塬電子材料科技有限公司（Foundarzy,，簡(jiǎn)稱方達(dá)正塬）是一家由南京市紫金山英才高峰計(jì)劃入選者創(chuàng)建的高技術(shù)企業(yè),。公司成立于2020年，主要從事氮化硅絕緣材料,、覆銅基板等相關(guān)產(chǎn)品研發(fā),、生產(chǎn)、銷售和應(yīng)用研究,。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于超高壓電網(wǎng),、5G/6G、穿戴式裝備、電動(dòng)汽車,、高鐵,、飛機(jī)、雷達(dá),、航空航天,、碳中和等相關(guān)設(shè)備、先進(jìn)制造及大國(guó)重器之中,。
公司自2021年3月投資50萬元立項(xiàng)研究,，氮化硅陶瓷基板制備關(guān)鍵技術(shù)和裝備；組建了由院士牽頭的戰(zhàn)略專家委員會(huì),，成員由中國(guó)科學(xué)院,、哈爾濱工業(yè)大學(xué)、南京大學(xué),、東南大學(xué)的教授/研究員組成,；技術(shù)團(tuán)隊(duì)構(gòu)建了具有國(guó)際領(lǐng)先水平的氮化硅陶瓷的制造工藝流程、研發(fā)了系列關(guān)鍵裝備,、各生產(chǎn)環(huán)節(jié)的質(zhì)量監(jiān)控與中間產(chǎn)品篩選體系,，在氮化硅基板制備等方面取得重要進(jìn)展，已獲得授權(quán)發(fā)明/實(shí)用新型專利10項(xiàng),，發(fā)表國(guó)際學(xué)術(shù)論文3篇,。在審發(fā)明專利8項(xiàng)，實(shí)用新型專利7項(xiàng),。涉及到粉體攪拌,、篩分、輸送,、收集,、平整,、加溫,、保溫和冷卻、粉體預(yù)處理,、漿料制備,、流延機(jī)、流延素坯,、基板燒結(jié),、陶瓷基板、配方,、燒結(jié)設(shè)備部件,、在線監(jiān)測(cè)、陶瓷織構(gòu)化等，至今已提交發(fā)明專利6項(xiàng),，實(shí)用新型專利6項(xiàng),，正在實(shí)質(zhì)性審查。
產(chǎn)品展示
1.氮化硅（Si3N4）陶瓷基板
公司掌握了國(guó)內(nèi)外企業(yè),、高等院校和研究院所的先進(jìn)生產(chǎn)技術(shù)和研究成果,，設(shè)計(jì)了國(guó)內(nèi)唯一氮化硅陶瓷基板自動(dòng)化生產(chǎn)線，產(chǎn)品經(jīng)多家用戶檢測(cè)和軍方權(quán)威機(jī)構(gòu)檢測(cè),，驗(yàn)證結(jié)果與國(guó)外產(chǎn)品相當(dāng),，局部?jī)?yōu)于國(guó)外產(chǎn)品。
氮化硅（Si3N4）基板與BeO,、Al2O3和AlN基板相比較,，具有綜合性能最佳、使用壽命最長(zhǎng)（是AlN的15~20倍）,、可靠性最好的特點(diǎn),，詳細(xì)如下：
絕緣性好：電阻率=1.0×1015~1016，電阻率約是BeO和AlN的10倍,，Al2O3的10萬倍
導(dǎo)熱性強(qiáng)：熱導(dǎo)率=80-177（理論值達(dá)320）,，熱導(dǎo)率是Al2O3的3倍以上，與AlN相當(dāng),，略遜于BeO
反應(yīng)靈敏：介電常數(shù)=9.4,，與Al2O3和AlN相當(dāng)
熱穩(wěn)定：熱膨脹系數(shù)=3，遠(yuǎn)低于BeO,，比AlN低,，約為Al2O3的1/3
壽命長(zhǎng)：耐熱循環(huán)次數(shù)=2000~5000次，是AlN和Al2O3的15~20倍,，大大降低設(shè)備折舊成本
抗振動(dòng)：高模量,、機(jī)械強(qiáng)度大。
BeO屬于劇毒產(chǎn)品,，僅用于要求特殊的航天和導(dǎo)彈戰(zhàn)斗部
Al2O3和是目前價(jià)格最便宜的基板,，但是其導(dǎo)熱性和使用壽命遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的要求。
AlN的主要問題是價(jià)格高（與Si3N4相當(dāng)）但可靠性只有Si3N4的十分之一,。
Si3N4基板具有向下兼容的特點(diǎn),，無需驗(yàn)證即可直接替代上述三種基板，不必再次驗(yàn)證,。
隨著Si3N4相基板的產(chǎn)量的增加和價(jià)格的下降,，將逐步代替原來由Al2O3和AlN占據(jù)的市場(chǎng)份額，
(二)新穎性,、先進(jìn)性和獨(dú)特性
產(chǎn)品屬于國(guó)家“核高基”領(lǐng)域的軍民兩用卡脖子產(chǎn)品,，在細(xì)分行業(yè)處于領(lǐng)軍地位,，市場(chǎng)緊缺，替代進(jìn)口,。
設(shè)計(jì)了國(guó)內(nèi)唯一氮化硅陶瓷基板自動(dòng)化生產(chǎn)線,，嚴(yán)格的預(yù)處理技術(shù)和先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)保證了氮化硅基板在微量元素含量、N/O比值,、表面粗糙度,、晶粒尺寸和晶間相等方面的嚴(yán)格要求，晶格缺陷大大減少了,，性能指標(biāo)大大提升,。
形成了既滿足量大面廣的民用產(chǎn)品的要求、還可提供高性能指標(biāo)的基板和/或基片,，形成高低搭配的,、全方位的系列產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)體系。
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