高比表面積碳化硅在光催化分解水制氫領域大有可為
氫因具有放熱效率高,、清潔及可再生等特點,,被視為21世紀最理想的清潔能源,。通常氫氣主要由化石原料,如煤,、石油,、天然氣等制備,但在這制備過程中不僅會消耗大量的能量,,而且會產(chǎn)生大量的二氧化碳的排放,,與可持續(xù)發(fā)展理念相悖。而利用太陽能在光催化劑的條件下分解水制氫則是一種可持續(xù)的,、能夠緩解能源緊缺現(xiàn)狀的一種理想方案,,太陽能取之不盡、用之不竭,,而且制備過程中也不會產(chǎn)生二氧化碳的排放,。
氫能源體系光催化分解水產(chǎn)氫示意圖
來源:分子催化
光催化分解水的關鍵在于催化劑材料的選擇,。作為光催化劑的半導體材料,,應具備能在可見光照射時發(fā)生電子從價帶到導帶躍遷的特性。半導體寬帶越大,,電子躍遷所需要的光波長越短,。目前常見的半導體光催化劑是TiO2,其禁帶寬度為3.2eV,只有波長小于390nm的光才能引起電子的躍遷,而可見光的波長在400~800nm的區(qū)間里,,因此TiO2無法利用可見光進行催化分解水,。從太陽光的利用效率看,半導體的帶隙應盡可能的小,,通常要小于3.0eV,。同時考慮到氫質(zhì)子還原形成氫氣所需要的電勢為0V(標準氫電極,NHE),,而水分子氧化形成氧氣所需要的電勢為+1.23V,,以及電極過電位和半導體能帶彎曲所帶來的影響,,半導體催化劑的最小禁帶寬度約為1.8eV。
半導體光催化劑的全分解水原理
良好的光解水催化劑應具備以下條件:
合適的禁帶寬度,,一般在1.8~3.0eV之間
帶邊勢要符合水分解的要求
良好的穩(wěn)定性,,在分解水的過程中不會發(fā)生光化學腐蝕
SiC具有化學性質(zhì)穩(wěn)定、價廉,、無毒,、無污染等特性,禁帶寬度在2.4eV~3.3eV之間,,且邊勢符合水分解的要求,,是一種極具應用潛力的光分解水制氫催化劑材料,目前SiC光解水制氫的研究仍處于起步階段,,值得非常深入的研究,。
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